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歐姆龍MOS FET繼電器在半導(dǎo)體測試設(shè)備中的應(yīng)用簡述

2021-06-30

集成電路廣泛使用于電腦、家電、數(shù)碼、工業(yè)、通信、軍事等領(lǐng)域。集成電路檢測根據(jù)工藝所處的環(huán)節(jié)可以分為設(shè)計驗證、前道量檢測和后道檢測。 集成電路芯片的生產(chǎn)主要分為 IC設(shè)計、 IC 前道制造和 IC 后道封裝測試三大環(huán)節(jié),把完成的集成電路進行結(jié)構(gòu)及功能的確認(rèn),以保證元件或IC在到達系統(tǒng)時的完整與正常,這一站我們稱之為測試。

集成電路的制程永遠(yuǎn)無法達到100%良率,故在讓元件上系統(tǒng)前,必須要先進行測試,以確定元件功能的正常與完整,以降低成本的損失。影響代工廠商的成敗依賴于產(chǎn)品的良率,良率不達標(biāo)會顯著影響廠商的成本與收益。針對于半導(dǎo)體測試設(shè)備中起到關(guān)鍵作用的小型化長壽命繼電器,以下做簡單介紹:

歐姆龍MOS FET繼電器以豐富的產(chǎn)品種類,多達150種豐富的產(chǎn)品系列、可靠的品質(zhì),支持各種技術(shù)及設(shè)備的開發(fā)。


歐姆龍MOS FET繼電器接觸可靠性更優(yōu),與機械式繼電器相比,能使機械設(shè)備更小型化、更節(jié)能化。備有高靈敏度、大容量、低導(dǎo)通電阻、低端子間容量、高絕緣。

實現(xiàn)與機械式繼電器同等的連續(xù)負(fù)載電流(~4A)和低導(dǎo)通電阻(0.02Ω~)的大容量型。為使用多個繼電器的產(chǎn)品實現(xiàn)高密度安裝和小型化做出貢獻。G3VM-31QR連續(xù)負(fù)載電流1.5A,兼顧小型和大容量。


實現(xiàn)SPDT接點構(gòu)成的半導(dǎo)體開關(guān)元件MOS FET繼電器模塊,電壓驅(qū)動型(額定:DC5V),封裝內(nèi)集中了SPDT結(jié)構(gòu)所需的部件,有助于基板省空間化。



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